沉梦刷课网课代学QQ:14597532021知到答案 现代半导体器件及先进制造 完整智慧树网课章节测试答案沉梦网课

沉梦刷课网课代学QQ:1459753

第一章 单元测试

1、单选题:
本征硅的费米能级位于:( )
选项:
A:2021知到答案 现代半导体器件及先进制造 完整智慧树网课章节测试答案

B:2021知到答案 现代半导体器件及先进制造 完整智慧树网课章节测试答案略偏向2021知到答案 现代半导体器件及先进制造 完整智慧树网课章节测试答案

C:2021知到答案 现代半导体器件及先进制造 完整智慧树网课章节测试答案略偏向2021知到答案 现代半导体器件及先进制造 完整智慧树网课章节测试答案

D:2021知到答案 现代半导体器件及先进制造 完整智慧树网课章节测试答案

答案: 【2021知到答案 现代半导体器件及先进制造 完整智慧树网课章节测试答案略偏向2021知到答案 现代半导体器件及先进制造 完整智慧树网课章节测试答案

2、单选题:
硼掺杂的硅中,下列说法正确的是:( )
选项:
A:空穴浓度大于电子浓度

B:电子浓度大于空穴浓度

C:硅的晶体结构将发生改变

D:与磷掺杂硅的导电类型一致

答案: 【空穴浓度大于电子浓度

3、多选题:
抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有( )。
选项:
A:降低离子注入能量

B:衬底表面沉积非晶薄膜

C:升高衬底温度

D:倾斜衬底

答案: 【衬底表面沉积非晶薄膜
;升高衬底温度
;倾斜衬底

4、多选题:
制造单晶硅衬底的方法包括( )。
选项:
A:直拉法

B:外延生长法

C:区域熔融法

D:氧化还原法

答案: 【直拉法
;区域熔融法

5、判断题:
当硅中掺杂浓度越小时,费米能级越靠近Ei。( )
选项:
A:错
B:对
答案: 【

第二章 单元测试

1、多选题:
对于长沟道MOSFET器件,发生夹断后,下面说法中正确的是( )。
选项:
A:Vg继续增加,Id不会继续增大

B:沟道中漏极一侧的电位为0

C:2021知到答案 现代半导体器件及先进制造 完整智慧树网课章节测试答案

D:Vg≥Vd+Vth

答案: 【Vg继续增加,Id不会继续增大
;沟道中漏极一侧的电位为0
;Vg≥Vd+Vth

2、多选题:
沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响( )。
选项:
A:阈值电压增大

B:器件的集成度增加

C:器件的漏极电流增大

D:器件的可靠性劣化

答案: 【器件的集成度增加
;器件的漏极电流增大
;器件的可靠性劣化

3、单选题:
有关MOSFET器件亚阈值摆幅(S)的说法错误的是( )
选项:
A:2021知到答案 现代半导体器件及先进制造 完整智慧树网课章节测试答案

B:温度升高,亚阈值摆幅增大

C:亚阈值摆幅的单位是mV

D:2021知到答案 现代半导体器件及先进制造 完整智慧树网课章节测试答案

答案: 【亚阈值摆幅的单位是mV

4、单选题:
有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是( )
选项:
A:仅与器件的结构参数有关

B:沟道长度相等的器件,特征长度越小,DIBL越小

C:与器件的沟道长度呈正比

D:栅氧化层介电常数越厚,特征长度越小

答案: 【沟道长度相等的器件,特征长度越小,DIBL越小

5、判断题:
MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

沉梦刷课网课代学QQ:1459753

© 版权声明
THE END
喜欢就支持一下吧
点赞0
分享
相关推荐